QS5U13TR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | QS5U13TR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.61 |
10+ | $0.537 |
100+ | $0.4118 |
500+ | $0.3255 |
1000+ | $0.2604 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±12V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TSMT5 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.25W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Grundproduktnummer | QS5U13 |
QS5U13TR Einzelheiten PDF [English] | QS5U13TR PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() QS5U13TRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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